CSD88539NDT

功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

制造商:texas instruments

系列:NexFET??

包装:剪切带(CT)

零件状态:有效

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):28 毫欧 @ 5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.4nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):741pF @ 30V

功率 - 最大值:2.1W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

标准包装:1

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